H5TQ4G63AFR-TEC
Modèle de produit H5TQ4G63AFR-TEC
Fabricant hynix
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Référence fabricant H5TQ4G63AFR-TEC Catégorie Circuits intégrés (ci)
Fabricant Hynix Semiconductor La description
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Modèle de Produit

H5TQ4G63AFR-TEC

Introduction

Un module DRAM de haute performance de Hynix conçu spécifiquement pour des applications informatiques avancées.

Marque et Fabricant

Hynix Semiconductor

Caractéristiques

Large bande passante mémoire, consommation d'énergie réduite, taux de transfert de données élevés, adapté aux tâches de calcul intensif, version à large plage de température.

Performance du Produit

Rétention de données fiable, pleinement compatible avec le traitement numérique de signaux à grande vitesse, performance exceptionnelle dans des conditions environnementales variables.

Spécifications Techniques

Type DRAM : DDR3, Capacité : 4 Go, Configuration I/O : x64, Type d'interface : SSTL_15.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Format DIMM conforme aux normes de l'industrie, généralement expédié dans un emballage antistatique.

Qualité et Fiabilité

Conforme aux normes de qualité de Hynix, test rigoureux pour la durabilité et la stabilité de performance.

Avantages du Produit

Optimisé pour le calcul à grande vitesse, performance cohérente.

Compétitivité du Produit

Reconnu dans l'industrie des semi-conducteurs pour sa vitesse et son efficacité, avantage concurrentiel grâce à des processus de fabrication avancés.

Compatibilité

Compatible avec une large gamme de microprocesseurs et de chipsets prenant en charge la technologie DDR3.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes JEDEC, conforme à la directive RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une utilisation prolongée dans les appareils électroniques, fabriqué en tenant compte des pratiques durables.

Champs d'Application Réels

Serveurs, systèmes informatiques de haute performance, équipements de télécommunications, systèmes embarqués avancés.

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